PZT751T1

产品描述

Trans GP BJT PNP 60V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R

内部编号

生产厂商

数量:94330

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新加坡
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规格书	PZT751T1
文档	Wire Bond 01/Dec/2010 Datasheet MSL Updated 2/April/2007
Rohs	Contains lead / RoHS non-compliant
产品更改通知	Specification Change MSL Updated 2/April/2007
标准包装	10
晶体管类型	PNP
- 集电极电流（Ic）（最大）	2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	60V
Vce饱和（最大）@ IB，IC	500mV @ 200mA, 2A
电流 - 集电极截止（最大）	-
直流电流增益（HFE）（最小值）@ IC，VCE	75 @ 1A, 2V
功率 - 最大	800mW
频率转换	75MHz
安装类型	Surface Mount
包/盒	TO-261-4, TO-261AA
供应商器件封装	SOT-223
包装材料	Cut Tape (CT)
包装	4SOT-223
类型	PNP
引脚数	4
最大集电极发射极电压	60 V
集电极最大直流电流	2 A
最小直流电流增益	75@50mA@2V\|75@500mA@2V\|75@1A@2V\|40@2A@2V
最大工作频率	75(Min) MHz
最大集电极发射极饱和电压	0.5@200mA@2A\|0.3@100mA@1A V
最大集电极基极电压	80 V
工作温度	-65 to 150 °C
最大功率耗散	800 mW
安装	Surface Mount
标准包装	Tape & Reel
电流 - 集电极（ Ic）（最大）	2A
晶体管类型	PNP
安装类型	Surface Mount
频率 - 转换	75MHz
下的Vce饱和度（最大） Ib，Ic条件	500mV @ 200mA, 2A
电压 - 集电极发射极击穿（最大）	60V
供应商设备封装	SOT-223
封装	Cut Tape (CT)
功率 - 最大	800mW
封装/外壳	TO-261-4, TO-261AA
直流电流增益（ hFE）（最小值） Ic，Vce时	75 @ 1A, 2V
其他名称	PZT751T1OSCT
RoHS指令	Contains lead / RoHS non-compliant

型号	厂家	产品描述
PZT751T1G	on semiconductor	Trans GP BJT PNP 60V 2A 4-Pin(3+Tab) SOT-223 T/R
PZT751T1G	rochester electronics

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